Tillverkare Produktnummer:
SSM3J66MFV,L3F
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
SSM3J66MFV,L3F-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 20 V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Inventarier:
6318 Pcs Ny Original I Lager
12889181
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SSM3J66MFV,L3F Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVI
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
800mA (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.2V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
390mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
1.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
+6V, -8V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
100 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
150mW (Ta)
Drifttemperatur
150°C
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
VESM
Paket / Fodral
SOT-723
Grundläggande produktnummer
SSM3J66
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
8,000
Andra namn
264-SSM3J66MFV,L3FCT
SSM3J66MFVL3FDKR-DG
SSM3J66MFVL3FTR-DG
SSM3J66MFVL3FDKR
SSM3J66MFVL3FCT-DG
264-SSM3J66MFV,L3FDKR
SSM3J66MFV,L3F(B
SSM3J66MFVL3FTR
264-SSM3J66MFV,L3FTR
SSM3J66MFVL3FCT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
SSM3J66MFV,L3XHF
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
14411
DEL NUMMER
SSM3J66MFV,L3XHF-DG
ENHETSPRIS
0.04
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
2SK3466(TE24L,Q)
MOSFET N-CH 500V 5A 4TFP
SSM3K324R,LF
MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F
2SK3309(TE24L,Q)
MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM
