Tillverkare Produktnummer:
2SK3309(TE24L,Q)
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
2SK3309(TE24L,Q)-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 450 V 10A (Ta) 65W (Tc) Surface Mount TO-220SM
Inventarier:
12889192
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
2SK3309(TE24L,Q) Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
450 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
650mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
920 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
65W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-220SM
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
2SK3309
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TK32E12N1,S1X
MOSFET N CH 120V 60A TO-220
TK4A60DB(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
TK4P50D(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
