Tillverkare Produktnummer:
SSM3J66MFV,L3XHF
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
SSM3J66MFV,L3XHF-DG
Beskrivning:
AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 20 V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Inventarier:
14411 Pcs Ny Original I Lager
12996440
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SSM3J66MFV,L3XHF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVI
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
800mA (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.2V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
390mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
1.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
+6V, -8V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
100 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
150mW (Ta)
Drifttemperatur
150°C
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
VESM
Paket / Fodral
SOT-723
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
8,000
Andra namn
264-SSM3J66MFV,L3XHFDKR
264-SSM3J66MFVL3XHFTR
264-SSM3J66MFVL3XHFDKR
264-SSM3J66MFV,L3XHFCT
264-SSM3J66MFV,L3XHFDKR-DG
264-SSM3J66MFV,L3XHFTR-DG
264-SSM3J66MFVL3XHFCT
264-SSM3J66MFV,L3XHFTR
264-SSM3J66MFV,L3XHFCT-DG
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI2102A-TP
N-CHANNEL MOSFET
PSMN018-100ESFQ
NEXPERIA PSMN018 - NEXTPOWER 100
R8009KNXC7G
HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
