TK16E60W,S1VX
Tillverkare Produktnummer:

TK16E60W,S1VX

Product Overview

Tillverkare:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Delenummer:

TK16E60W,S1VX-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-220

Inventarier:

39 Pcs Ny Original I Lager
12890768
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

TK16E60W,S1VX Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
DTMOSIV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
15.8A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
190mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 790µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1350 pF @ 300 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
130W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
TK16E60

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
TK16E60W,S1VX(S
TK16E60WS1VX

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095

Alternativa modeller

DELNUMMER
STP28NM60ND
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
133
DEL NUMMER
STP28NM60ND-DG
ENHETSPRIS
3.12
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
IXFP18N65X2
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
300
DEL NUMMER
IXFP18N65X2-DG
ENHETSPRIS
2.30
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
STP24N60DM2
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
105
DEL NUMMER
STP24N60DM2-DG
ENHETSPRIS
1.48
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
TK16N60W,S1VF
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
30
DEL NUMMER
TK16N60W,S1VF-DG
ENHETSPRIS
1.71
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DELNUMMER
IPP60R190E6XKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1985
DEL NUMMER
IPP60R190E6XKSA1-DG
ENHETSPRIS
1.41
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
toshiba-semiconductor-and-storage

TK100S04N1L,LQ

MOSFET N-CH 40V 100A DPAK

toshiba-semiconductor-and-storage

TK39J60W,S1VQ

MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P

toshiba-semiconductor-and-storage

TPH1R403NL,L1Q

MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP

toshiba-semiconductor-and-storage

TK15S04N1L,LQ

MOSFET N-CH 40V 15A DPAK