Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
DR Kongo
Argentina
Turkiet
Rumänien
Litauen
Norge
Österrike
Angola
Slovakien
Italien
Finland
Vitryssland
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Montenegro
Ryska
Belgien
Sverige
Serbien
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Moldavien
Tyskland
Nederländerna
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
Frankrike
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Portugal
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spanien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
TK16E60W,S1VX
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK16E60W,S1VX-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-220
Inventarier:
39 Pcs Ny Original I Lager
12890768
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK16E60W,S1VX Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
DTMOSIV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
15.8A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
190mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 790µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1350 pF @ 300 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
130W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
TK16E60
Datablad och dokument
Datablad
TK16E60W
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
TK16E60W,S1VX(S
TK16E60WS1VX
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STP28NM60ND
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
133
DEL NUMMER
STP28NM60ND-DG
ENHETSPRIS
3.12
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
IXFP18N65X2
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
300
DEL NUMMER
IXFP18N65X2-DG
ENHETSPRIS
2.30
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
STP24N60DM2
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
105
DEL NUMMER
STP24N60DM2-DG
ENHETSPRIS
1.48
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
TK16N60W,S1VF
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
30
DEL NUMMER
TK16N60W,S1VF-DG
ENHETSPRIS
1.71
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DELNUMMER
IPP60R190E6XKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1985
DEL NUMMER
IPP60R190E6XKSA1-DG
ENHETSPRIS
1.41
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TK100S04N1L,LQ
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
TK39J60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
TPH1R403NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
TK15S04N1L,LQ
MOSFET N-CH 40V 15A DPAK