Tillverkare Produktnummer:
TK16N60W,S1VF
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK16N60W,S1VF-DG
Beskrivning:
MOSFET N CH 600V 15.8A TO247
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-247
Inventarier:
30 Pcs Ny Original I Lager
12889805
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK16N60W,S1VF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
DTMOSIV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
15.8A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
190mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 790µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1350 pF @ 300 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
130W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
TK16N60
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
TK16N60WS1VF
TK16N60W,S1VF(S
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TK15A60U(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 15A TO220SIS
SSM6K361NU,LF
MOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNB
TK6P60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK