Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
DR Kongo
Argentina
Turkiet
Rumänien
Litauen
Norge
Österrike
Angola
Slovakien
Italien
Finland
Vitryssland
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Montenegro
Ryska
Belgien
Sverige
Serbien
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Moldavien
Tyskland
Nederländerna
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
Frankrike
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Portugal
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spanien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
IPP60R190E6XKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPP60R190E6XKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventarier:
1985 Pcs Ny Original I Lager
12853263
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPP60R190E6XKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Not For New Designs
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
190mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 630µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
151W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IPP60R190
Datablad och dokument
Datablad
IPx60R190E6
Datasheets
IPP60R190E6XKSA1
HTML-Datasheet
IPP60R190E6XKSA1-DG
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
IPP60R190E6-DG
448-IPP60R190E6XKSA1
IPP60R190E6XKSA1-DG
IPP60R190E6
SP000797378
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STP24N60M2
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
189
DEL NUMMER
STP24N60M2-DG
ENHETSPRIS
1.21
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
IPP65R190E6XKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
580
DEL NUMMER
IPP65R190E6XKSA1-DG
ENHETSPRIS
1.52
Ersättnings typ
Direct
DELNUMMER
STP28N60M2
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1020
DEL NUMMER
STP28N60M2-DG
ENHETSPRIS
1.40
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
AOT25S65L
Tillverkare
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
AOT25S65L-DG
ENHETSPRIS
1.99
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
IPP60R190C6XKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
4500
DEL NUMMER
IPP60R190C6XKSA1-DG
ENHETSPRIS
1.40
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFR120NCPBF
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
IRLL014NTR
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
MMBF170LT3
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
MLD1N06CLT4
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK