Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
IPP60R190C6XKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPP60R190C6XKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventarier:
4500 Pcs Ny Original I Lager
12803680
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPP60R190C6XKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Not For New Designs
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
190mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 630µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
151W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IPP60R190
Datablad och dokument
Datablad
IPx60R190C6
Datasheets
IPP60R190C6XKSA1
HTML-Datasheet
IPP60R190C6XKSA1-DG
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
2156-IPP60R190C6XKSA1
IPP60R190C6-DG
SP000621158
IPP60R190C6
INFINFIPP60R190C6XKSA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STP24N60M2
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
189
DEL NUMMER
STP24N60M2-DG
ENHETSPRIS
1.21
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STP28N60M2
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1020
DEL NUMMER
STP28N60M2-DG
ENHETSPRIS
1.40
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
AOT25S65L
Tillverkare
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
AOT25S65L-DG
ENHETSPRIS
1.99
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
IXKC20N60C
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
IXKC20N60C-DG
ENHETSPRIS
9.07
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STP22NM60N
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
945
DEL NUMMER
STP22NM60N-DG
ENHETSPRIS
1.64
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPP50R299CPXKSA1
MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3
IRF7807A
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
IRF8252TRPBF-1
MOSFET N-CH 25V 25A 8SO
IPP220N25NFDAKSA1
MOSFET N-CH 250V 61A TO220-3