Tillverkare Produktnummer:
SCTW40N120G2V
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
SCTW40N120G2V-DG
Beskrivning:
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1200 V 36A (Tc) 278W (Tc) Through Hole HiP247™
Inventarier:
12950523
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SCTW40N120G2V Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
SiCFET (Silicon Carbide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
18V
rds på (max) @ id, vgs
100mOhm @ 20A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 18 V
Vgs (max)
+22V, -10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1233 pF @ 800 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
278W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 200°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
HiP247™
Paket / Fodral
TO-247-3
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
497-SCTW40N120G2V
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
MSC080SMA120B
Tillverkare
Microchip Technology
ANTAL TILLGÄNGLIGT
143
DEL NUMMER
MSC080SMA120B-DG
ENHETSPRIS
8.97
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STL260N4LF7
N-CHANNEL 40 V, 0.00085 OHM TYP.
SCTH70N120G2V-7
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
SCTL90N65G2V
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650