MSC080SMA120B
Tillverkare Produktnummer:

MSC080SMA120B

Product Overview

Tillverkare:

Microchip Technology

DiGi Electronics Delenummer:

MSC080SMA120B-DG

Beskrivning:

SICFET N-CH 1200V 37A TO247-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1200 V 37A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventarier:

143 Pcs Ny Original I Lager
13251316
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

MSC080SMA120B Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Microchip Technology
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
SiCFET (Silicon Carbide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
37A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
20V
rds på (max) @ id, vgs
100mOhm @ 15A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 20 V
Vgs (max)
+23V, -10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
838 pF @ 1000 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
200W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247-3
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
MSC080

Datablad och dokument

Datablad
MSC080SMA120B

Ytterligare information

Standard-paket
30

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
microchip-technology

APT8056BVRG

MOSFET N-CH 800V 16A TO247

microchip-technology

APT30M40JVFR

MOSFET N-CH 300V 70A ISOTOP

microchip-technology

APT34F100L

MOSFET N-CH 1000V 35A TO264

microchip-technology

APT5018SFLLG

MOSFET N-CH 500V 27A D3PAK