STL260N4LF7
Tillverkare Produktnummer:

STL260N4LF7

Product Overview

Tillverkare:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Delenummer:

STL260N4LF7-DG

Beskrivning:

N-CHANNEL 40 V, 0.00085 OHM TYP.
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)

Inventarier:

2747 Pcs Ny Original I Lager
12950528
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

STL260N4LF7 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
STripFET™ F7
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
1.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6000 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
188W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerFlat™ (5x6)
Paket / Fodral
8-PowerVDFN

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
497-STL260N4LF7DKR
497-STL260N4LF7CT
497-STL260N4LF7TR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
stmicroelectronics

SCTH70N120G2V-7

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

stmicroelectronics

SCTL90N65G2V

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

stmicroelectronics

SCTH40N120G2V-7

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

diodes

DMTH6016LFDFWQ-13

MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN