FDMC5614P-B8
Tillverkare Produktnummer:

FDMC5614P-B8

Product Overview

Tillverkare:

onsemi

DiGi Electronics Delenummer:

FDMC5614P-B8-DG

Beskrivning:

FET -60V 100.0 MOHM MLP33
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 60 V 5.7A (Ta), 13.5A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)

Inventarier:

12974607
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FDMC5614P-B8 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
PowerTrench®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
100mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1055 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-WDFN (3.3x3.3)
Paket / Fodral
8-PowerWDFN

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
488-FDMC5614P-B8TR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
onsemi

NVMFWS2D3P04M8LT1G

MV8 P INITIAL PROGRAM

panjit

PJMD990N65EC_L2_00001

650V SUPER JUNCITON MOSFET

panjit

PJQ4465AP_R2_00001

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

inventchip-technology

IV1Q12160T4

SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24