Tillverkare Produktnummer:
IV1Q12160T4
Product Overview
Tillverkare:
Inventchip
DiGi Electronics Delenummer:
IV1Q12160T4-DG
Beskrivning:
SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1200 V 20A (Tc) 138W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventarier:
106 Pcs Ny Original I Lager
12974633
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IV1Q12160T4 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Inventchip Technology
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
SiCFET (Silicon Carbide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
20V
rds på (max) @ id, vgs
195mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.9V @ 1.9mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 20 V
Vgs (max)
+20V, -5V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
885 pF @ 800 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
138W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247-4
Paket / Fodral
TO-247-4
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
4084-IV1Q12160T4
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
NVMFS005N10MCLT1G
PTNG 100V LL SO8FL
NVTFS015P03P8ZTAG
PT8P PORTFOLIO EXPANSION
NTMTSC4D2N10GTXG
100V MVSOA IN DFNW8(PQFN8X8) PAC
