Tillverkare Produktnummer:
NTMTSC4D2N10GTXG
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
NTMTSC4D2N10GTXG-DG
Beskrivning:
100V MVSOA IN DFNW8(PQFN8X8) PAC
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 21A (Ta), 178A (Tc) 3.9W (Ta), 267W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 8-TDFNW (8.3x8.4)
Inventarier:
2655 Pcs Ny Original I Lager
12974644
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
NTMTSC4D2N10GTXG Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
21A (Ta), 178A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
4.2mOhm @ 88A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 450µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
159 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10450 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.9W (Ta), 267W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount, Wettable Flank
Paket för leverantörsenhet
8-TDFNW (8.3x8.4)
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
488-NTMTSC4D2N10GTXGDKR
488-NTMTSC4D2N10GTXGCT
488-NTMTSC4D2N10GTXGTR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
PJD35P03_L2_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJMD390N65EC_L2_00001
650V SUPER JUNCITON MOSFET
NTMFSC1D0N04HL
T8 40V LOW COSS DFN8 5X6 DUAL CO