NVMFWS2D3P04M8LT1G
Tillverkare Produktnummer:

NVMFWS2D3P04M8LT1G

Product Overview

Tillverkare:

onsemi

DiGi Electronics Delenummer:

NVMFWS2D3P04M8LT1G-DG

Beskrivning:

MV8 P INITIAL PROGRAM
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 40 V 31A (Ta), 222A (Tc) 3.8W (Ta), 205W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Inventarier:

12974609
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

NVMFWS2D3P04M8LT1G Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
31A (Ta), 222A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 2.7mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
157 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5985 pF @ 20 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.8W (Ta), 205W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Fodral
8-PowerTDFN, 5 Leads

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
1,500
Andra namn
488-NVMFWS2D3P04M8LT1GDKR
488-NVMFWS2D3P04M8LT1GTR
488-NVMFWS2D3P04M8LT1GCT

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095

Alternativa modeller

DELNUMMER
NVMFS2D3P04M8LT1G
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
95
DEL NUMMER
NVMFS2D3P04M8LT1G-DG
ENHETSPRIS
1.45
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DELNUMMER
RS1G201ATTB1
Tillverkare
Rohm Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
7266
DEL NUMMER
RS1G201ATTB1-DG
ENHETSPRIS
1.12
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
panjit

PJMD990N65EC_L2_00001

650V SUPER JUNCITON MOSFET

panjit

PJQ4465AP_R2_00001

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

inventchip-technology

IV1Q12160T4

SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24

onsemi

NVMFS005N10MCLT1G

PTNG 100V LL SO8FL