Tillverkare Produktnummer:
IXTH62N65X2
Product Overview
Tillverkare:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
IXTH62N65X2-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 62A TO247
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 62A (Tc) 780W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventarier:
10 Pcs Ny Original I Lager
12820907
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IXTH62N65X2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tube
Serie
Ultra X2
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
62A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
52mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5940 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
780W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247 (IXTH)
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
IXTH62
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
30
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPW60R060P7XKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
60
DEL NUMMER
IPW60R060P7XKSA1-DG
ENHETSPRIS
3.01
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IXTY02N120P
MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
IXTN200N10T
MOSFET N-CH 100V 200A SOT227B
IXFH16N80P
MOSFET N-CH 800V 16A TO247AD
