IXTY02N120P

Tillverkare Produktnummer:

IXTY02N120P

Product Overview

Tillverkare:

IXYS

DiGi Electronics Delenummer:

IXTY02N120P-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 1200 V 200mA (Tc) 33W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventarier:

18694 Pcs Ny Original I Lager

12820909

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

IXTY02N120P Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Littelfuse

Förpackning

Tube

Serie

Polar

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

1200 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

200mA (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

10V

rds på (max) @ id, vgs

75Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 100µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

4.7 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

104 pF @ 25 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

33W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

TO-252AA

Paket / Fodral

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Grundläggande produktnummer

IXTY02

Datablad och dokument

Datasheets

HTML-Datasheet

Datablad

IXT(P,Y)02N120P Building, Home Automation Appl Guide

Ytterligare information

Standard-paket

70

Andra namn

IXTY02N120P-CRL

Q14232739

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

littelfuse

IXTN200N10T

MOSFET N-CH 100V 200A SOT227B

littelfuse

IXFH16N80P

MOSFET N-CH 800V 16A TO247AD

IXTK210P10T

MOSFET P-CH -100V -210A TO-264

littelfuse

IXTA120P065T

MOSFET P-CH 65V 120A TO263