Tillverkare Produktnummer:
IXTN200N10T
Product Overview
Tillverkare:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
IXTN200N10T-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 200A SOT227B
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 550W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventarier:
12820910
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IXTN200N10T Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tube
Serie
Trench
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
5.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9400 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
550W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Chassis Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-227B
Paket / Fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Grundläggande produktnummer
IXTN200
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
10
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IXFN200N10P
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
37
DEL NUMMER
IXFN200N10P-DG
ENHETSPRIS
17.53
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IXFH16N80P
MOSFET N-CH 800V 16A TO247AD
IXTK210P10T
MOSFET P-CH -100V -210A TO-264
IXTA120P065T
MOSFET P-CH 65V 120A TO263
