IRF6641TRPBF
Tillverkare Produktnummer:

IRF6641TRPBF

Product Overview

Tillverkare:

International Rectifier

DiGi Electronics Delenummer:

IRF6641TRPBF-DG

Beskrivning:

IRF6641 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 4.6A (Ta), 26A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ

Inventarier:

720 Pcs Ny Original I Lager
12947144
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRF6641TRPBF Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
HEXFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.6A (Ta), 26A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
59.9mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 150µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2290 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
DIRECTFET™ MZ
Paket / Fodral
DirectFET™ Isometric MZ
Grundläggande produktnummer
IRF6641

Datablad och dokument

Datablad
IRF6641TRPBF Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
150
Andra namn
2156-IRF6641TRPBF-IR
INFIRFIRF6641TRPBF

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
fairchild-semiconductor

FQU5N60CTU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

nxp-semiconductors

PSMN2R6-60PSQ

NOW NEXPERIA PSMN2R6-60PSQ - 150

fairchild-semiconductor

FCU2250N80Z

MOSFET N-CH 800V 2.6A I-PAK

fairchild-semiconductor

FDB8896

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8