Tillverkare Produktnummer:
PSMN2R6-60PSQ
Product Overview
Tillverkare:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Delenummer:
PSMN2R6-60PSQ-DG
Beskrivning:
NOW NEXPERIA PSMN2R6-60PSQ - 150
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 150A (Tc) 326W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventarier:
304 Pcs Ny Original I Lager
12947148
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
PSMN2R6-60PSQ Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
NXP Semiconductors
Förpackning
Bulk
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
2.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7629 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
326W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
190
Andra namn
2156-PSMN2R6-60PSQ
NEXNXPPSMN2R6-60PSQ
Miljö- och exportklassificering
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FCU2250N80Z
MOSFET N-CH 800V 2.6A I-PAK
FDB8896
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
FQPF19N10
MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F
