FCU2250N80Z
Tillverkare Produktnummer:

FCU2250N80Z

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FCU2250N80Z-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 800V 2.6A I-PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 2.6A (Tc) 39W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventarier:

94795 Pcs Ny Original I Lager
12947154
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
dqCN
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FCU2250N80Z Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
SuperFET® II
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
2.25Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 260µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
585 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
39W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
I-PAK
Paket / Fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Datablad och dokument

Datablad
FCU2250N80Z Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
385
Andra namn
2156-FCU2250N80Z
FAIFSCFCU2250N80Z

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
fairchild-semiconductor

FDB8896

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8

fairchild-semiconductor

FQPF19N10

MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F

nexperia

OP540/BD/C3,027

OP540/BD - CUSTOM MOSFET

international-rectifier

IRF8304MTRPBF

IRF8304 - 12V-300V N-CHANNEL POW