Tillverkare Produktnummer:
IRFSL4010PBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRFSL4010PBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 180A TO262
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-262
Inventarier:
683 Pcs Ny Original I Lager
12804231
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRFSL4010PBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
HEXFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
4.7mOhm @ 106A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
215 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9575 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
375W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-262
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grundläggande produktnummer
IRFSL4010
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
SP001567760
448-IRFSL4010PBF
IRFSL4010PBF-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPP60R060C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3
IPP60R950C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3
IRFZ24NLPBF
MOSFET N-CH 55V 17A TO262
