IRFSL4010PBF
Tillverkare Produktnummer:

IRFSL4010PBF

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IRFSL4010PBF-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 100V 180A TO262
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-262

Inventarier:

683 Pcs Ny Original I Lager
12804231
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
KzSi
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRFSL4010PBF Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
HEXFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
4.7mOhm @ 106A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
215 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9575 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
375W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-262
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grundläggande produktnummer
IRFSL4010

Datablad och dokument

Datablad
IRFS(L)4010PBF
Datasheets
IRFSL4010PBF
HTML-Datasheet
IRFSL4010PBF-DG

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
SP001567760
448-IRFSL4010PBF
IRFSL4010PBF-DG

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
infineon-technologies

IPP60R060C7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3

infineon-technologies

IPP60R950C6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3

infineon-technologies

IRFZ24NLPBF

MOSFET N-CH 55V 17A TO262

infineon-technologies

IRF6613TRPBF

MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET