IRFZ24NLPBF
Tillverkare Produktnummer:

IRFZ24NLPBF

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IRFZ24NLPBF-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 55V 17A TO262
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 55 V 17A (Tc) 3.8W (Ta), 45W (Tc) Through Hole TO-262

Inventarier:

Förfrågan Online
12804235
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRFZ24NLPBF Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
HEXFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
55 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
70mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
370 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.8W (Ta), 45W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-262
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Datablad och dokument

Datablad
IRFZ24NS/L
Datasheets
IRFZ24NLPBF
HTML-Datasheet
IRFZ24NLPBF-DG

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
SP001571902
*IRFZ24NLPBF

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
infineon-technologies

IRF6613TRPBF

MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET

infineon-technologies

IRFSL4410

MOSFET N-CH 100V 96A TO262

infineon-technologies

IRF3007STRLPBF

MOSFET N CH 75V 62A D2PAK

infineon-technologies

IRF9383MTRPBF

MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET