IPP60R060C7XKSA1
Tillverkare Produktnummer:

IPP60R060C7XKSA1

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IPP60R060C7XKSA1-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 35A (Tc) 162W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

Inventarier:

878 Pcs Ny Original I Lager
12804232
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IPP60R060C7XKSA1 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
CoolMOS™ C7
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
60mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 800µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2850 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
162W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IPP60R060

Datablad och dokument

Datablad
IPP60R060C7
Datasheets
IPP60R060C7XKSA1
HTML-Datasheet
IPP60R060C7XKSA1-DG

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
SP001385014

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
infineon-technologies

IPP60R950C6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3

infineon-technologies

IRFZ24NLPBF

MOSFET N-CH 55V 17A TO262

infineon-technologies

IRF6613TRPBF

MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET

infineon-technologies

IRFSL4410

MOSFET N-CH 100V 96A TO262