Tillverkare Produktnummer:
IRF6726MTR1PBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRF6726MTR1PBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 32A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Inventarier:
12803612
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRF6726MTR1PBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
HEXFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
32A (Ta), 180A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
1.7mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
77 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6140 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
DIRECTFET™ MT
Paket / Fodral
DirectFET™ Isometric MT
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
IRF6726MTR1PBFDKR
IRF6726MTR1PBFCT
IRF6726MTR1PBFTR
SP001525440
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IRF6726MTRPBF
Tillverkare
International Rectifier
ANTAL TILLGÄNGLIGT
3965
DEL NUMMER
IRF6726MTRPBF-DG
ENHETSPRIS
1.37
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DELNUMMER
PSMN1R7-30YL,115
Tillverkare
Nexperia USA Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2587
DEL NUMMER
PSMN1R7-30YL,115-DG
ENHETSPRIS
0.63
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPP90N06S404AKSA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
IPB80N06S2L07ATMA3
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IRF7779L2TRPBF
MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
