Tillverkare Produktnummer:
IRFSL4310ZPBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRFSL4310ZPBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 120A TO262
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-262
Inventarier:
12803616
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRFSL4310ZPBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
HEXFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
6mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6860 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
250W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-262
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
SP001557618
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
AOW482
Tillverkare
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
AOW482-DG
ENHETSPRIS
0.99
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFU3518-701PBF
MOSFET N-CH 80V 38A IPAK
IPB081N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
IRF1503STRRPBF
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
