PSMN1R7-30YL,115
Tillverkare Produktnummer:

PSMN1R7-30YL,115

Product Overview

Tillverkare:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Delenummer:

PSMN1R7-30YL,115-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 109W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8

Inventarier:

2587 Pcs Ny Original I Lager
12827319
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

PSMN1R7-30YL,115 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Nexperia
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
1.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.15V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
77.9 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5057 pF @ 12 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
109W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
LFPAK56, Power-SO8
Paket / Fodral
SC-100, SOT-669
Grundläggande produktnummer
PSMN1R7

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
1,500
Andra namn
934063068115
568-4678-1-DG
PSMN1R730YL115
568-4678-2-DG
5202-PSMN1R7-30YL,115TR
1727-4162-6
568-4678-6-DG
1727-4162-2
568-4678-6
568-4678-1
568-4678-2
PSMN1R7-30YL T/R
1727-4162-1

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
nexperia

BUK9Y19-55B/C2,115

MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK56

nexperia

PMPB48EP,115

MOSFET P-CH 30V 4.7A DFN2020MD-6

nexperia

BUK9675-100A,118

MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK

nexperia

BUK7Y2R0-40HX

MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56