Tillverkare Produktnummer:
IPP17N25S3100AKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPP17N25S3100AKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 250V 17A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 250 V 17A (Tc) 107W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventarier:
12804433
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPP17N25S3100AKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Last Time Buy
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
250 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
100mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 54µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
107W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3-1
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IPP17N25
Datablad och dokument
Datablad
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
2156-IPP17N25S3100AKSA1
IFEINFIPP17N25S3100AKSA1
SP001025116
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPB17N25S3100ATMA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1583
DEL NUMMER
IPB17N25S3100ATMA1-DG
ENHETSPRIS
0.89
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
IXFP36N30P3
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
IXFP36N30P3-DG
ENHETSPRIS
3.03
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRF520NL
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO262
IRF7457
MOSFET N-CH 20V 15A 8SO
IPP110N20NAAKSA1
MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3