Tillverkare Produktnummer:
IPB17N25S3100ATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPB17N25S3100ATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 250 V 17A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventarier:
1583 Pcs Ny Original I Lager
12801077
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPB17N25S3100ATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
250 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
100mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 54µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
107W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3-2
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IPB17N25
Datablad och dokument
Datablad
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
448-IPB17N25S3100ATMA1CT
448-IPB17N25S3100ATMA1TR
SP000876560
IPB17N25S3100ATMA1-DG
448-IPB17N25S3100ATMA1DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPB017N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
IPA80R310CEXKSA1
MOSFET N-CH 800V 6.8A TO220
IPD60R170CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 14A TO252-3
