Tillverkare Produktnummer:
IPD60R170CFD7ATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPD60R170CFD7ATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 14A TO252-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 14A (Tc) 76W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventarier:
12801082
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPD60R170CFD7ATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ CFD7
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
170mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 300µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1199 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
76W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO252-3
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
IPD60R
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
IPD60R170CFD7ATMA1DKR
IPD60R170CFD7
IPD60R170CFD7ATMA1-DG
IPD60R170CFD7ATMA1TR
SP001617934
IPD60R170CFD7ATMA1CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
BSS138NL6327HTSA1
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
IPB020NE7N3GATMA1
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
IPC302N08N3X2SA1
MOSFET N-CH 80V SAWN WAFER