Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
IXFP36N30P3
Product Overview
Tillverkare:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
IXFP36N30P3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 300 V 36A (Tc) 347W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventarier:
Förfrågan Online
12822043
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IXFP36N30P3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar3™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
300 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
110mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2040 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
347W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IXFP36
Datablad och dokument
Datablad
IXF(A,P)36N30P3
Datasheets
IXFP36N30P3
HTML-Datasheet
IXFP36N30P3-DG
Ytterligare information
Standard-paket
50
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPP17N25S3100AKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
IPP17N25S3100AKSA1-DG
ENHETSPRIS
1.54
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IXTA15P15T
MOSFET P-CH 150V 15A TO263
IXFH16N90Q
MOSFET N-CH 900V 16A TO247AD
IXTP140N055T2
MOSFET N-CH 55V 140A TO220AB
IXFH20N80Q
MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD