Tillverkare Produktnummer:
IPP100N06S2L05AKSA2
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPP100N06S2L05AKSA2-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 55 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventarier:
498 Pcs Ny Original I Lager
12801218
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPP100N06S2L05AKSA2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
55 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
4.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5660 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
300W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3-1
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IPP100
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
500
Andra namn
INFINFIPP100N06S2L05AKSA2
SP001067950
2156-IPP100N06S2L05AKSA2
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IXTP170N075T2
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
50
DEL NUMMER
IXTP170N075T2-DG
ENHETSPRIS
1.73
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
CSD18532KCS
Tillverkare
Texas Instruments
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1360
DEL NUMMER
CSD18532KCS-DG
ENHETSPRIS
0.91
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPB80N03S4L02ATMA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
IPD65R1K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO252-3
IPP06CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 100A TO220-3
