IPL60R104C7AUMA1
Tillverkare Produktnummer:

IPL60R104C7AUMA1

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IPL60R104C7AUMA1-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 122W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4

Inventarier:

8950 Pcs Ny Original I Lager
12801223
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IPL60R104C7AUMA1 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ C7
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
104mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 490µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1819 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
122W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-VSON-4
Paket / Fodral
4-PowerTSFN
Grundläggande produktnummer
IPL60R

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
448-IPL60R104C7AUMA1CT
INFINFIPL60R104C7AUMA1
448-IPL60R104C7AUMA1DKR
448-IPL60R104C7AUMA1TR
SP001298008
IPL60R104C7AUMA1-DG
2156-IPL60R104C7AUMA1

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
2A (4 Weeks)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
infineon-technologies

IPD082N10N3GBTMA1

MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

infineon-technologies

IPN70R750P7SATMA1

MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223

infineon-technologies

IPP052NE7N3GHKSA1

MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3