Tillverkare Produktnummer:
IPD50R800CEAUMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPD50R800CEAUMA1-DG
Beskrivning:
CONSUMER
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 500 V 7.6A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PG-TO252-2
Inventarier:
5199 Pcs Ny Original I Lager
12801224
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPD50R800CEAUMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ CE
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
500 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7.6A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
13V
rds på (max) @ id, vgs
800mOhm @ 1.5A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 130µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
12.4 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
280 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
60W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO252-2
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
IPD50R800
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
SP001396798
IPD50R800CEAUMA1-DG
448-IPD50R800CEAUMA1CT
448-IPD50R800CEAUMA1DKR
2156-IPD50R800CEAUMA1
448-IPD50R800CEAUMA1TR
INFINFIPD50R800CEAUMA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPD082N10N3GBTMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
IPN70R750P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
IPP052NE7N3GHKSA1
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
