Tillverkare Produktnummer:
IPB80N03S4L02ATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPB80N03S4L02ATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 80A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventarier:
12801219
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPB80N03S4L02ATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 90µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (max)
±16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9750 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
136W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3-2
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IPB80N
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
IPB80N03S4L-02INDKR-DG
IPB80N03S4L-02INTR-DG
IPB80N03S4L-02INCT
IPB80N03S4L02ATMA1TR
IPB80N03S4L-02INCT-DG
INFINFIPB80N03S4L02ATMA1
IPB80N03S4L-02INDKR
2156-IPB80N03S4L02ATMA1
SP000273282
IPB80N03S4L02ATMA1CT
IPB80N03S4L02ATMA1DKR
IPB80N03S4L-02INTR
IPB80N03S4L-02
IPB80N03S4L02
IPB80N03S4L-02-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPD65R1K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO252-3
IPP06CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 100A TO220-3
IPL60R104C7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON