Tillverkare Produktnummer:

IPL65R340CFDAUMA2

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IPL65R340CFDAUMA2-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 650V 10.9A 4VSON

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 650 V 10.9A (Tc) 104.2W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4

Inventarier:

Förfrågan Online

12805881

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

IPL65R340CFDAUMA2 Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Infineon Technologies

Förpackning

Tape & Reel (TR)

Serie

CoolMOS™ CFD2

Produktens status

Not For New Designs

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

650 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

10.9A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

10V

rds på (max) @ id, vgs

340mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 400µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

41 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1100 pF @ 100 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

104.2W (Tc)

Drifttemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

PG-VSON-4

Paket / Fodral

4-PowerTSFN

Grundläggande produktnummer

IPL65R

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket

3,000

Andra namn

SP002051002

IPL65R340CFDAUMA2-DG

448-IPL65R340CFDAUMA2TR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

2A (4 Weeks)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

infineon-technologies

IPI60R299CPXKSA1

MOSFET N-CH 600V 11A TO262-3

infineon-technologies

IRF2807L

MOSFET N-CH 75V 82A TO262

infineon-technologies

IPP60R160P6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-3

infineon-technologies

IRLR2905Z

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK