IRF2807L
Tillverkare Produktnummer:

IRF2807L

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IRF2807L-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 75V 82A TO262
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 75 V 82A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-262

Inventarier:

Förfrågan Online
12805883
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRF2807L Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
HEXFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
75 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
82A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
13mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3820 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
230W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-262
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Datablad och dokument

Datablad
IRF2807S/L
Datasheets
IRF2807L
HTML-Datasheet
IRF2807L-DG

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
*IRF2807L

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
RoHS non-compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
infineon-technologies

IPP60R160P6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-3

infineon-technologies

IRLR2905Z

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

infineon-technologies

IRLML9301TRPBF

MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23

infineon-technologies

IRL3803STRRPBF

MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK