IPP60R160P6XKSA1
Tillverkare Produktnummer:

IPP60R160P6XKSA1

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IPP60R160P6XKSA1-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 23.8A (Tc) 176W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

Inventarier:

478 Pcs Ny Original I Lager
12805884
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IPP60R160P6XKSA1 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
CoolMOS™ P6
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
23.8A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
160mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 750µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2080 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
176W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IPP60R160

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
SP001017068

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
infineon-technologies

IRLR2905Z

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

infineon-technologies

IRLML9301TRPBF

MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23

infineon-technologies

IRL3803STRRPBF

MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK

infineon-technologies

IRF9520NSPBF

MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK