Tillverkare Produktnummer:
IPD90N06S405ATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPD90N06S405ATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventarier:
12801049
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPD90N06S405ATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Discontinued at Digi-Key
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
5.1mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 60µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6500 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
107W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO252-3-11
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
IPD90
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
IPD90N06S405ATMA1TR
SP000481510
IPD90N06S4-05
IPD90N06S4-05-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPD90N06S405ATMA2
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
IPD90N06S405ATMA2-DG
ENHETSPRIS
0.61
Ersättnings typ
Direct
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPA60R280P7SXKSA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
BSS87H6327FTSA1
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4
BSR802NL6327HTSA1
MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59
