Tillverkare Produktnummer:
IPB200N25N3GATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPB200N25N3GATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventarier:
2210 Pcs Ny Original I Lager
12801061
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPB200N25N3GATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
250 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
20mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7100 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
300W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IPB200
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
IPB200N25N3GATMA1TR
IPB200N25N3 G
IPB200N25N3 GDKR-DG
IPB200N25N3 GDKR
IPB200N25N3 GTR-DG
SP000677896
IPB200N25N3 GCT-DG
IPB200N25N3G
IPB200N25N3 GCT
IPB200N25N3GATMA1CT
IPB200N25N3 G-DG
IPB200N25N3GATMA1DKR
IPB200N25N3 GTR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPI320N20N3GAKSA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
IPP040N06N3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
IPB096N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 35A D2PAK
