Tillverkare Produktnummer:
BSS87H6327FTSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSS87H6327FTSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 240 V 260mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89-4-2
Inventarier:
25607 Pcs Ny Original I Lager
12801056
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSS87H6327FTSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
SIPMOS®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
240 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
260mA (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
6Ohm @ 260mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 108µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
5.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
97 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-SOT89-4-2
Paket / Fodral
TO-243AA
Grundläggande produktnummer
BSS87
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
BSS87H6327FTSA1DKR
BSS87H6327FTSA1TR
BSS87H6327FTSA1CT
SP001047646
BSS87H6327FTSA1-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
BSR802NL6327HTSA1
MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59
IPB200N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK
IPI320N20N3GAKSA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
