Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
IPB60R099CPAATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPB60R099CPAATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 255W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventarier:
700 Pcs Ny Original I Lager
12800914
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPB60R099CPAATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ CP
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
105mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.2mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2800 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
255W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3-2
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IPB60R099
Datablad och dokument
Datablad
IPB60R099CPA
Datasheets
IPB60R099CPAATMA1
HTML-Datasheet
IPB60R099CPAATMA1-DG
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
448-IPB60R099CPAATMA1DKR
IPB60R099CPAATMA1TR
IPB60R099CPAATMA1TR-DG
448-IPB60R099CPAATMA1TR
SP000315443
IPB60R099CPA
448-IPB60R099CPAATMA1CT
IPB60R099CPA-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STB40N60M2
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
775
DEL NUMMER
STB40N60M2-DG
ENHETSPRIS
2.83
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
FCB110N65F
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
4800
DEL NUMMER
FCB110N65F-DG
ENHETSPRIS
3.05
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPDD60R190G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 13A HDSOP-10
IPB06N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
IPI50R199CPXKSA1
MOSFET N-CH 500V 17A TO262-3
IPD70R360P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3