Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
FCB110N65F
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FCB110N65F-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventarier:
4800 Pcs Ny Original I Lager
12838140
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FCB110N65F Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
FRFET®, SuperFET® II
Produktens status
Not For New Designs
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
110mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 3.5mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4895 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
357W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
FCB110
Datablad och dokument
Datablad
FCB110N65F
Datasheets
FCB110N65F
HTML-Datasheet
FCB110N65F-DG
Ytterligare information
Standard-paket
800
Andra namn
FCB110N65FCT
FCB110N65FTR
FCB110N65FDKR
2156-FCB110N65F-OS
ONSONSFCB110N65F
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STB37N60DM2AG
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
STB37N60DM2AG-DG
ENHETSPRIS
3.16
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FDP7N60NZ
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220-3
FDS3580
MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
FQPF6N40CF
MOSFET N-CH 400V 6A TO220F
FDN5618P_G
MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3