Tillverkare Produktnummer:
IPDD60R190G7XTMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPDD60R190G7XTMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 13A HDSOP-10
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 76W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-10-1
Inventarier:
167 Pcs Ny Original I Lager
12800915
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPDD60R190G7XTMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ G7
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
190mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 210µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
718 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
76W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-HDSOP-10-1
Paket / Fodral
10-PowerSOP Module
Grundläggande produktnummer
IPDD60
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,700
Andra namn
IPDD60R190G7XTMA1DKR
SP001632844
IPDD60R190G7XTMA1TR
2156-IPDD60R190G7XTMA1-448
IPDD60R190G7XTMA1CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPB06N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
IPI50R199CPXKSA1
MOSFET N-CH 500V 17A TO262-3
IPD70R360P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3