Tillverkare Produktnummer:
IPA90R800C3XKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPA90R800C3XKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-FP
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 900 V 6.9A (Tc) 33W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventarier:
12800467
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPA90R800C3XKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
900 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.9A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
800mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 460µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
33W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-FP
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
IPA90R
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
500
Andra namn
SP000413718
IPA90R800C3
IPA90R800C3-DG
IFEINFIPA90R800C3XKSA1
2156-IPA90R800C3XKSA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPA90R800C3XKSA2
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
494
DEL NUMMER
IPA90R800C3XKSA2-DG
ENHETSPRIS
1.05
Ersättnings typ
Direct
DELNUMMER
STF9N60M2
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1988
DEL NUMMER
STF9N60M2-DG
ENHETSPRIS
0.53
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPI06N03LA
MOSFET N-CH 25V 50A TO262-3
IPB60R380P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK
IPD50N08S413ATMA1
MOSFET N-CH 80V 50A TO252-3