Tillverkare Produktnummer:
IPD50N08S413ATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPD50N08S413ATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 80V 50A TO252-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 80 V 50A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Inventarier:
4608 Pcs Ny Original I Lager
12800476
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPD50N08S413ATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
80 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
13.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 33µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1711 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
72W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO252-3-313
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
IPD50
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
IPD50N08S413ATMA1-DG
SP000988948
448-IPD50N08S413ATMA1CT
448-IPD50N08S413ATMA1TR
448-IPD50N08S413ATMA1DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPD50R399CP
MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3
IPD135N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
IPB067N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK