Tillverkare Produktnummer:
IPA90R800C3XKSA2
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPA90R800C3XKSA2-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 900 V 6.9A (Tc) 33W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventarier:
494 Pcs Ny Original I Lager
12800853
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPA90R800C3XKSA2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
900 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.9A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
800mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 460µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
33W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-FP
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
IPA90R800
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
500
Andra namn
448-IPA90R800C3XKSA2
SP002548860
IPA90R800C3XKSA2-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPA60R170CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
IPP052N06L3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
IPB70N10S312ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3