Tillverkare Produktnummer:
IMW120R045M1XKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IMW120R045M1XKSA1-DG
Beskrivning:
SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Inventarier:
58 Pcs Ny Original I Lager
12800230
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IMW120R045M1XKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
CoolSiC™
Produktens status
Not For New Designs
FET-typ
N-Channel
Teknik
SiCFET (Silicon Carbide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
15V
rds på (max) @ id, vgs
59mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 10mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 15 V
Vgs (max)
+20V, -10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 800 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
228W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO247-3-41
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
IMW120
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
IMW120R045M1XKSA1-DG
SP001346254
448-IMW120R045M1XKSA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
MSC025SMA120B
Tillverkare
Microchip Technology
ANTAL TILLGÄNGLIGT
30
DEL NUMMER
MSC025SMA120B-DG
ENHETSPRIS
28.12
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPD100N04S402ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3
IPB065N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
IPD30N03S4L09ATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
