Tillverkare Produktnummer:
MSC025SMA120B
Product Overview
Tillverkare:
Microchip Technology
DiGi Electronics Delenummer:
MSC025SMA120B-DG
Beskrivning:
SICFET N-CH 1.2KV 103A TO247-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1200 V 103A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventarier:
30 Pcs Ny Original I Lager
13275744
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
MSC025SMA120B Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Microchip Technology
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
SiCFET (Silicon Carbide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
103A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
20V
rds på (max) @ id, vgs
31mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
232 nC @ 20 V
Vgs (max)
+25V, -10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3020 pF @ 1000 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
500W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247-3
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
MSC025
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
691-MSC025SMA120B
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
PMV30XPAR
MOSFET P-CH 20V 4.9A TO236AB
PSMN012-60MSX
MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK33
PMV48XPA2R
MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
