Tillverkare Produktnummer:
IPD30N03S4L09ATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPD30N03S4L09ATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventarier:
48073 Pcs Ny Original I Lager
12800246
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPD30N03S4L09ATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 13µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max)
±16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1520 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
42W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO252-3-11
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
IPD30N03
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
IPD30N03S4L-09-DG
IPD30N03S4L-09INTR-DG
IPD30N03S4L-09INCT
IPD30N03S4L-09INCT-DG
IPD30N03S4L-09
IPD30N03S4L09ATMA1CT
SP000415578
INFINFIPD30N03S4L09ATMA1
IPD30N03S4L09ATMA1TR
IPD30N03S4L-09INDKR
IPD30N03S4L-09INDKR-DG
2156-IPD30N03S4L09ATMA1
IPD30N03S4L09
IPD30N03S4L-09INTR
IPD30N03S4L09ATMA1DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPI65R280E6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262-3
IPB123N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
BTS110E3045ANTMA1
MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
