Tillverkare Produktnummer:
BSC109N10NS3GATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSC109N10NS3GATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 63A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventarier:
38915 Pcs Ny Original I Lager
12799626
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSC109N10NS3GATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
63A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
10.9mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 45µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2500 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
78W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TDSON-8-1
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
BSC109
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
BSC109N10NS3GATMA1CT-DGTR-DG
BSC109N10NS3 G-DG
BSC109N10NS3 GCT-DG
BSC109N10NS3GATMA1TR
BSC109N10NS3 G
SP000778132
BSC109N10NS3 GDKR
BSC109N10NS3 GDKR-DG
BSC109N10NS3GATMA1DKR-DGTR-DG
BSC109N10NS3G
BSC109N10NS3 GCT
BSC109N10NS3GATMA1CT
BSC109N10NS3GATMA1DKR
BSC109N10NS3GXT
BSC109N10NS3 GTR-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
BSC060P03NS3EGATMA1
MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON
BSS131H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
BSZ042N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
